特許

J-GLOBAL ID：200903009844301823

位相シフトマスク及びその製造方法

発明者： 岡崎 智 ,  丸山 保 ,  稲月 判臣 ,  金子 英雄 ,  高野 伸一
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-047373
公開番号（公開出願番号）：特開2001-235849
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【解決手段】 露光光が透過する基板上に第2光透過部の位相シフターをフッ素ドープしたモリブデンシリサイド膜又はフッ素ドープしたクロムシリサイド膜で形成してなり、これらシリサイド膜が、反応性ガスとしてSiF2を用いて形成されたものであることを特徴とする位相シフトマスク及びその製造方法を提供する。【効果】 本発明によれば、短波長の光源であっても十分な透過率と経時安定性を有し、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に十分対応することができる高性能な位相シフトマスクを得ることができる。

請求項（抜粋）：

露光光が透過する基板上に第2光透過部の位相シフターをフッ素ドープしたモリブデンシリサイド膜で形成してなり、このフッ素ドープしたモリブデンシリサイド膜が、スパッタリングターゲットとしてモリブデン金属を用い、かつ反応性ガスとしてSiF2を用いて形成されたものであることを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (7件)：

2H095BA07 ,  2H095BB03 ,  2H095BB06 ,  2H095BB15 ,  2H095BB16 ,  2H095BC01 ,  2H095BC24