特許

J-GLOBAL ID：200903009844889359

半導体基板の表面洗浄方法及びシステム

発明者： アジット ピー・パランジプ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120338
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302776
出願日： 1995年04月10日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】 液化ガスを使用した半導体ウェーハの洗浄システム及び方法を提供する。【構成】 半導体処理システム10は洗浄室12及びロードロックウェーハハンドラー室14を具備している。洗浄剤34が洗浄槽28内に入れられる。半導体基板16が洗浄剤34と接触して配置される。洗浄剤34は最初は液相であり気相へ変えられて被洗浄面のトポロジーの内部へ入り込めるようにされる。次ぎに洗浄剤34は液相へ戻され最後にフラッシュ蒸発されて洗浄工程が完了する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面洗浄方法であって、該方法は、液相の洗浄剤を洗浄槽へ導入するステップと、半導体基板の表面を液体洗浄剤に接触させるステップと、洗浄剤を気相へ変えて洗浄剤が基板表面のトポロジーの内部へ入り込めるようにするステップと、洗浄剤を液相へ戻すステップと、洗浄剤をフラッシュ蒸発させて蒸発された洗浄剤及び基板表面から取り除かれた汚染物質を洗浄槽から除去するステップと、からなる半導体基板の表面洗浄方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公平5-086241
  
• 特開平4-097526
  
• 特開平3-058418