特許

J-GLOBAL ID：200903009846238746

光起電力素子

発明者： 狩谷 俊光 ,  斉藤 恵志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349586
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204526
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 長波長の感度、フィルファクターを向上させること、光電変換効率を向上させ、光劣化を抑制し、フィールド耐久性を向上させ、温度特性を改善することである。【構成】 水素を含有する非晶質シリコン系半導体からなるp層、水素を含有する非晶質シリコンゲルマニウム系半導体からなるi層、水素を含有する非晶質シリコン系半導体からなるn層を基板状に積層し、i層はマイクロ波プラズマCVD法を用いて基板温度400〜600°Cで形成され、且つi層は微結晶ゲルマニウムを含有し、その微結晶ゲルマニウムの粒径は50〜500オングストロ-ムである。また、微結晶ゲルマニウムの含有量が層厚方向に変化している。

請求項（抜粋）：

水素を含有する非晶質シリコン系半導体からなるp層、水素を含有する非晶質シリコンゲルマニウム系半導体からなるi層、水素を含有する非晶質シリコン系半導体からなるn層を基体上に積層し、i層はマイクロ波プラズマCVD法を用いて基体温度400〜600°Cで形成され、かつ該i層は微結晶ゲルマニウムを含有し、該微結晶ゲルマニウムの粒径が50〜500オングストロ-ムであることを特徴とする光起電力素子。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/10 A