特許
J-GLOBAL ID:200903009846892063

レジスト処理における温度を調節する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-195181
公開番号(公開出願番号):特開2003-045767
出願日: 2002年07月03日
公開日(公表日): 2003年02月14日
要約:
【要約】【課題】 ウエハ製造の際の歩留まりを向上するために、レジスト温度を調節する方法を提供する。【解決手段】 本発明の方法は、レジストでコーティングされた第1の半導体ウエハを少なくとも1つ提供する工程と、該第1の半導体ウエハを投影されたレチクル試験パターンと共に露光する工程と、該第1の半導体ウエハ上に第1のレジスト処理を第1の温度で行う工程と、該第1の半導体ウエハ上の該レジスト内のパターンの第1の側壁角度を判定する工程と、該第1のレジスト側壁角度が所定の閾値を越えた場合に信号を生成する工程と、該信号に応答して該レジスト処理の温度を調節する工程とを包含する。
請求項(抜粋):
少なくとも1つの半導体ウエハを露光した後に、レジスト処理における温度を調節する方法であって、レジストでコーティングされた第1の半導体ウエハを少なくとも1つ提供する工程と、該第1の半導体ウエハを投影されたレチクル試験パターンと共に露光する工程であって、該パターンは、第1の臨界寸法を有するパッド構造と第2の臨界寸法を有するアンテナ構造を備え、該アンテナ構造は該パッド構造に接続され、該第1の臨界寸法の値は、該第2の臨界寸法の値よりも少なくとも1.5倍大きい、工程と、該第1の半導体ウエハ上に第1のレジスト処理を第1の温度(T1)で行う工程と、該第1の半導体ウエハ上の該レジスト内のパターンの第1の側壁角度(1)を判定する工程であって、a)該少なくとも1つのアンテナ構造の第1の臨界寸法(31〜33、38〜39)を測定する工程と、b)該少なくとも1つのパッド構造の第2の臨界寸法(34〜37)を測定する工程と、c)該第1および第2の臨界寸法の測定値双方を比較する工程と、を行うことにより判定を行う工程と、該第1のレジスト側壁角度(1)が所定の閾値を越えた場合に信号を生成する工程と、該信号に応答して該レジスト処理の温度を調節する工程と、を包含する、方法。
Fターム (2件):
5F046KA10 ,  5F046LA18

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