特許

J-GLOBAL ID：200903009847657661

半導体記憶装置

発明者： 椋木 敏夫 ,  小島 誠
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184928
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015716
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 書き込みに要する電流ピークを下げる一方で、メモリーセルのソース-ドレイン間の電位差を保ち、ホットエレクトロンのエネルギーと発生効率が低下することを防止して、書き込み時間の増加を最小限におさえる。【解決手段】 メモリー素子1〜3において、ホットエレクトロンによってフローティングゲートへ電子を注入する時、メモリー素子のドレインに供給する電流を所定の値以上の電流を制限する定電流素子18によって制御する。また、定電流素子18の出力電位と所定の電位Vrefとを入力とし、2つの入力電位の高低により出力電位を変化させる比較器20を有し、電位供給源によってコントロールゲートに供給される電位を、比較器20の出力により制御する。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタのチャネル上に、電位供給源に接続されたコントロールゲートと、周辺と電気的に絶縁されたフローティングゲートを有し、前記フローティングゲートへの電子の注入・除去によってデータを記憶するメモリー素子において、ホットエレクトロンによって前記フローティングゲートへ電子を注入する時、前記メモリー素子のドレインに供給する電流を、所定の値以上の電流を制限する定電流素子によって制御する半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (11件)：

5F001AA02 ,  5F001AA32 ,  5F001AB02 ,  5F001AD21 ,  5F001AE02 ,  5F083EP03 ,  5F083EP13 ,  5F083EP24 ,  5F083EP62 ,  5F083GA01 ,  5F083ZA08