キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-203934
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017782
出願日： 2001年07月04日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】消費電力が小さく、素子サイズ及び素子間距離を大幅に縮小しても誤動作がなく、大規模集積化が可能な、キャリヤスピン注入型磁気抵抗効果膜を用いた不揮発性メモリー素子とそれを用いたメモリー装置を提供する。【解決手段】固定磁化層の上に絶縁層を積層し、該絶縁層の上に、キャリヤ誘起磁性を備え、キャリヤスピンの注入により磁化の方向が反転する磁化反転層を積層するとともに、上記磁化反転層の表面に、該磁化反転層にキャリヤスピンを注入する電極を配置し、誘導磁界に依らず磁化の方向が反転することを特徴とするキャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜を用いた不揮発性メモリー素子。

請求項（抜粋）：

固定磁化層の上に絶縁層を積層し、該絶縁層の上に、キャリヤ誘起磁性を備え、キャリヤスピンの注入により磁化の方向が反転する磁化反転層を積層し、誘導磁場に依らず磁化の方向が反転することを特徴とするキャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜。

IPC (7件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01L 27/105

FI (7件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01L 27/10 447 , G01R 33/06 R

Fターム (24件)：

2G017AD55 , 2G017AD62 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA15 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5E049DB12 , 5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA15 , 5F083HA06 , 5F083JA51 , 5F083JA60 , 5F083PR21 , 5F083PR22

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