特許

J-GLOBAL ID：200903009850409580

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  金生 剛 ,  中島 睦雄 ,  長谷川 幸士
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-342380
公開番号（公開出願番号）：特開2001-158808
出願日： 1999年12月01日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)又は(2)で表される環状の珪素含有基を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1,R2,R3,R6,R7,R10,R11,R12,R13は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、R4,R5,R8,R9は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、フッ素化した炭素数1〜20のアルキル基、又は炭素数6〜20のアリール基、p,q,r,sは0〜10の整数、1≦p+q+s≦20である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明の高分子化合物及びレジスト材料は、これらの特性により、特に優れた2層レジスト用の材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)又は(2)で表される環状の珪素含有基を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1,R2,R3,R6,R7,R10,R11,R12,R13は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、R4,R5,R8,R9は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、フッ素化した炭素数1〜20のアルキル基、又は炭素数6〜20のアリール基、p,q,r,sは0〜10の整数、1≦p+q+s≦20である。)

IPC (3件)：

C08F 30/08 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511

FI (3件)：

C08F 30/08 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511

Fターム (27件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  4J100AB07P ,  4J100AL08P ,  4J100AR09P ,  4J100AR11P ,  4J100BA02P ,  4J100BA15P ,  4J100BC51P ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100JA38