特許
J-GLOBAL ID：200903009854859717
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-328109
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186129
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】 複雑な工程及び複雑な構造を必要とせず、安価で、かつ容易にショットキー電極の耐圧を向上させ、ショットキー電極のリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 化合物半導体基板11上に形成されたn能動層12と、n+ 能動層13と、ソース電極14と、ドレイン電極15と、n能動層12とショットキー接合をなすショットキー電極18とを有する半導体装置において、能動層12のショットキー電極18が形成される領域及びその近傍に、イオン輻射を施して高抵抗層12aを形成した後、高抵抗層12a上にショットキー電極18を設ける。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板表面に能動層を形成し、該能動層とショットキー接合をなすショットキー電極を有する半導体装置において、前記能動層のショットキー電極が形成される領域及びその近傍に、イオン輻射による高抵抗層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/265
H01L 29/80 Q
, H01L 21/265 J
, H01L 21/265 C
, H01L 29/80 B
