金属触媒による結晶半導体薄膜の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川澄茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-184551
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050574
出願日： 2000年06月14日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】結晶化した薄膜を<111>方向に優先的に配向させることができる金属触媒による結晶半導体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】基板11上に半導体に対して触媒作用を有する触媒金属膜15を形成し、この触媒金属膜15上に非晶質半導体薄膜17を形成し、この非晶質半導体薄膜17を熱処理して上記触媒金属膜15の触媒反応により、上記非晶質半導体薄膜17を膜厚方向に結晶化させる結晶半導体薄膜の製造方法において、上記基板11と上記触媒金属膜15との間に上記触媒金属膜15と異なる金属膜13を形成することにより、結晶半導体薄膜を<111>方向に優先的に配向させる。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体に対して触媒作用を有する触媒金属膜を形成し、該触媒金属膜上に非晶質半導体薄膜を形成し、該非晶質半導体薄膜を熱処理して上記触媒金属膜の触媒反応により、上記非晶質半導体薄膜を膜厚方向に結晶化させる結晶半導体薄膜の製造方法において、上記基板と上記触媒金属膜との間に上記触媒金属膜と異なる金属膜を形成することにより、結晶半導体薄膜を<111>方向に優先的に配向させることを特徴とする金属触媒による結晶半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , B01J 23/755 , H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/20 , B01J 23/74 321 M , H01L 31/04 X

Fターム (23件)：

4G069AA15 , 4G069BC68A , 4G069BC68B , 4G069CD10 , 4G069EA08 , 4G069EB15X , 4G069EB15Y , 4G069EE01 , 4G069EE06 , 5F051AA03 , 5F051CA16 , 5F051CB12 , 5F051CB24 , 5F051CB29 , 5F051GA03 , 5F051GA06 , 5F052AA11 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA13 , 5F052GB05 , 5F052JA09 , 5F052JB04

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