特許

J-GLOBAL ID：200903009860956066

ポリエチレン多孔質膜およびその製造方法

発明者： 植谷 慶裕 ,  樋口 浩之 ,  東條 泰久
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-348809
公開番号（公開出願番号）：特開平11-181134
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月06日
要約：

【要約】【課題】 低い電気抵抗および高い突刺し強度を有するポリエチレン多孔質膜、および、そのようなポリエチレン多孔質膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 粘度平均分子量が1×106 以上である超高分子量ポリエチレンを主成分とするポリエチレンフィルムを、キシレンなどのポリエチレンを膨潤させることのできる溶媒に、95〜125°Cの温度範囲で接触させながら少なくとも1軸方向に延伸した後、前記溶媒でポリエチレンが膨潤した状態で、前記溶媒よりもポリエチレンを膨潤させる能力の小さい、エタノールなどの溶媒に接触させ、その後フィルムに残存する溶媒を乾燥除去してポリエチレン多孔質膜を得る。

請求項（抜粋）：

粘度平均分子量が1×106 以上である超高分子量ポリエチレンを主成分とし、空孔率が15〜75%であり、かつ、単位厚さ当たりの突刺し強度が0.25N/μm以上であり、電解液中における単位厚さ当たりの電気抵抗Rt が100mΩ・cm2 /μm以下であることを特徴とするポリエチレン多孔質膜。但し、前記電気抵抗Rt は、前記電解液中に面積S(cm2 )、膜厚t(μm)のポリエチレン多孔質膜を浸漬した状態で前記ポリエチレン多孔質膜の厚さ方向に測定した電気抵抗をR1 (mΩ)、このポリエチレン多孔質膜がない状態で測定した前記電解液の電気抵抗をR0 (mΩ)としたとき、Rt =(R1 -R0)×S/tで表される値である。

IPC (6件)：

C08J 9/00 CES ,  B29C 55/02 ,  H01M 2/16 ,  B29K 23:00 ,  B29K105:04 ,  B29L 7:00

FI (3件)：

C08J 9/00 CES A ,  B29C 55/02 ,  H01M 2/16 P