特許
J-GLOBAL ID：200903009862892707
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245858
公開番号（公開出願番号）：特開平5-089662
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【構成】Ptなどを用いた半導体装置、特にPtを電極とした強誘電体キャパシタが集積された半導体装置の製造方法において、PtとTiからなる電極を用いる。PtとTiを積層し、Tiをレジストを用いて所定のパターンに形成し、レジスト剥離後、TiをマスクにしてPtをエッチングする。【効果】Ptの再付着が防げ、仮に再付着が起きたとしても、突起上にPtが残らず、良好なPtパターンが形成できる。
請求項（抜粋）：
Pt、またはPdを主成分とする第1薄膜を形成する工程と、前記第1薄膜上に主成分がTiからなる第2導電膜を形成する工程と、前記第2導電膜上に、所定のパターンをレジストにより形成する工程と、前記第2導電膜を前記所定のパターンにエッチングする工程と、前記エッチングされた、第2導電膜をマスクとして前記第1薄膜をエッチングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
G11C 11/22
, H01G 4/06 102
, H01G 7/06
, H01L 21/28
, H01L 27/04
