特許
J-GLOBAL ID：200903009867238347
位相シフトマスク基板用位相シフト量測定方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-124459
公開番号（公開出願番号）：特開平11-327119
出願日： 1998年05月07日
公開日（公表日）： 1999年11月26日
要約：
【要約】【課題】 透明基板上に位相シフター層を成膜した時点でその位相シフト量を非接触・非破壊で正確に直接測定する方法と装置。【解決手段】 透明基板上に位相シフター層を形成する前後にその透明基板の同一箇所の透過光の位相差を二光束干渉計を用いて測定する位相シフトマスク基板用位相シフト量測定方法において、透明基板に位相シフター層を形成する間に、透明基板を載置する干渉計のサンプルステージ上にダミー透明基板を代わりに載置して、その間のダミー透明基板を透過する光の位相変動を検出し、透明基板に位相シフター層を形成した後の透明基板を透過する光の位相を測定する際に、その位相変動分を干渉計の一方の光路の光路長補正手段11により光路長補正を行って相殺する。
請求項（抜粋）：
透明基板上に位相シフター層を形成する前後にその透明基板の同一箇所の透過光の位相差を二光束干渉計を用いて測定する位相シフトマスク基板用位相シフト量測定方法において、前記透明基板に位相シフター層を形成する間に、前記透明基板を載置する干渉計のサンプルステージ上にダミー透明基板を代わりに載置して、その間の前記ダミー透明基板を透過する光の位相変動を検出し、前記透明基板に位相シフター層を形成した後の前記透明基板を透過する光の位相を測定する際に、その位相変動分を干渉計の一方の光路の光路長補正を行って相殺することを特徴とする位相シフトマスク基板用位相シフト量測定方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
