窒化ガリウム系化合物半導体のp型化方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-085491
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275867
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 p型ドーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体を、より低抵抗なp型とすると共に、膜厚によらず抵抗値がウエハー全体に均一にすることにより、p-n接合を実現できる窒化ガリウム系化合物半導体のp型化方法を提供する。【構成】 p型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をエッチングして、その表面に凹凸を形成する工程と、凹凸を形成した後、その窒化ガリウム系化合物半導体を400°C以上の温度でアニーリングする工程とを具備する。

請求項（抜粋）：

p型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をエッチングして、その表面に凹凸を形成する工程と、凹凸を形成した後、その窒化ガリウム系化合物半導体を400°C以上の温度でアニーリングする工程とを具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のp型化方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/324 , H01S 3/18

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