特許

J-GLOBAL ID：200903009870782350

撮像装置

発明者： スパイヴェイ,ブレット ,  マーティン,ピーター ,  モーセル,エー.,エル. ,  アトラス,ユージーン ,  ペレグリノ,アンソニー
出願人/特許権者： セルモトレックス,コーポレーション
代理人 (1件)： 平木 祐輔 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-503139
公開番号（公開出願番号）：特表2000-513443
出願日： 1997年06月18日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】電子-正孔生成放射線(2)から画像を形成させるための撮像装置(1)である。電子-正孔対は光導電性材料の放射線吸収層(10)中に形成される。この層(10)は半導体基板(7)中または上に組込まれた金属酸化物半導体画素回路のアレイ(9)を被覆するようにして形成される。各画素回路は電荷捕捉画素電極と、該電極に接続され電荷を貯蔵するコンデンサーと、電荷測定トランジスター回路とを有する。電圧源(16)は画素電極と、放射線吸収層を被覆する放射線透過表面電極(8)との間に形成されている放射線吸収層(10)を横切るようにして電界を与える。データ捕捉システム(20)は電荷測定から得られるデータを捕捉、貯蔵し、コンピュータ(23)はそのデータから画像を計算する。この画像はモニター(22)上に表示されるか、もしくはプリンターでプリントアウトされる。好ましい態様において、画像がX線、紫外線および可視光線から得られる。

請求項（抜粋）：

電子-正孔生成放射線から画像を形成させるための撮像装置であって、 A.以下の要素を含む少なくとも1つの固体放射線検知ユニット: 1)ドープされた結晶質半導体材料からなる基板; 2)該基板中または上に形成された複数の金属酸化物半導体画素回路であって、アレイを形成し、画素回路のアレイを規定すると共に、各画素回路が画素を規定し、以下の要素を含むもの; a)電荷収集画素電極、 b)該電荷収集画素電極に接続し該電荷収集画素電極により集められた電荷を貯蔵する画素コンデンサー、 c)少なくとも1つのトランジスターを含み、該画素コンデンサーで貯蔵された電荷を測定するための電荷測定トランジスター回路、 3)該画素回路のアレイを被覆し、該電子-正孔生成放射線により露光されたとき光導電性を示す光導電性物質からなる放射線吸収層、 4)該放射線吸収層上に堆積された導電性物質からなり、該放射線に対し少なくとも部分的に透明性を示す表面電極層であって、該放射線吸収層を横切って電界を発生させると共に該表面電極層と該電荷収集画素電極との間に電界を発生させる電圧源と接続し得るもの、 B.電荷測定トランジスター回路を介して該画素コンデンサーのそれぞれに貯蔵された電荷を測定するための画素電荷測定回路: C.該電荷測定から得られ、画像を規定する情報を含むデータを取得、貯蔵するためのデータ取得システム。

IPC (3件)：

G01T 1/24 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/32

FI (3件)：

G01T 1/24 ,  H04N 5/32 ,  H01L 27/14 K