特許

J-GLOBAL ID：200903009870904919

炭素膜片製造方法及び膜片製造装置

発明者： 中東 孝浩
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-322588
公開番号（公開出願番号）：特開2006-069889
出願日： 2005年11月07日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】高分子材料であって、実用上求められるだけの潤滑性を有するとともに摩耗によってもその潤滑性が低下せず、しかもこの材料の強度が損なわれていない高分子材料を得るための炭素膜片の製造方法及びかかる炭素膜片の製造に用いることができる膜片製造装置を提供する。【解決手段】容量結合型プラズマCVD法を用い、真空容器1内を所定真空度に維持するとともに炭素膜形成の原料ガスを導入し、電力印加電極2に高周波電力を印加してプラズマを発生させてこの電極2上に潤滑性のある炭素膜を形成し、この電極2の加熱・冷却を繰り返すことでこの電極2から炭素膜片を剥離させ、炭素膜片を回収する。かかる炭素膜片製造に利用できる膜片製造装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

容量結合型プラズマCVD装置を用い、該装置における真空容器内を所定の成膜真空度に維持するとともに該真空容器内に炭素膜形成のための原料ガスを導入し、電力印加電極に高周波電力を印加して対向電極との間にプラズマを発生させて該電力印加電極上に潤滑性のある炭素膜を形成し、該電力印加電極の加熱及び冷却を繰り返すことで該電極から炭素膜片を剥離させ、該炭素膜片を回収することを特徴とする炭素膜片製造方法。

IPC (4件)：

C01B 31/02 ,  C08L 101/00 ,  C08K 7/00 ,  C23C 16/505

FI (4件)：

C01B31/02 101Z ,  C08L101/00 ,  C08K7/00 ,  C23C16/505

Fターム (57件)：

4G146AA01 ,  4G146AA05 ,  4G146AB07 ,  4G146AD26 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC27 ,  4G146BC31A ,  4G146CA20 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA31 ,  4G146DA33 ,  4G146DA41 ,  4G146DA45 ,  4G146DA48 ,  4J002AA011 ,  4J002AA021 ,  4J002AC001 ,  4J002AC011 ,  4J002AC091 ,  4J002BB031 ,  4J002BB121 ,  4J002BD031 ,  4J002BD101 ,  4J002BD121 ,  4J002BD141 ,  4J002BD151 ,  4J002BD161 ,  4J002BE021 ,  4J002BF021 ,  4J002BF051 ,  4J002BG061 ,  4J002BN151 ,  4J002CB001 ,  4J002CC031 ,  4J002CC161 ,  4J002CC181 ,  4J002CD001 ,  4J002CF211 ,  4J002CG001 ,  4J002CK021 ,  4J002CL001 ,  4J002CP031 ,  4J002DA016 ,  4J002FA016 ,  4J002FD176 ,  4J002GC00 ,  4J002GN00 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030FA03 ,  4K030JA18 ,  4K030LA25

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-128382
  
• 半導体薄膜、この膜の形成方法及びこの膜の形成装置並びにこの膜を備えた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-046984   出願人：三洋電機株式会社