半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-074847
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266249
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】複数の配線層と層間絶縁膜を貫通し各層の配線を接続するプラグ3,3aを具備する半導体装置のプラグ3,3aに対応する配線部分のエレクトロマイグレーション寿命の延命を図る。【解決手段】間隔L2 の広いところのプラグ3aと接続する第1層配線4aと第2層配線5a,5bの配線部分に余裕部分1を設け、流出するAl原子を補充する供給源としている。

請求項（抜粋）：

少なくとも二層の配線層に形成された配線を該配線層に挟まれ介在する層間絶縁膜を貫通し前記配線を互に接続するとともに前記配線層上に種々の間隔を置いて配設される複数のプラグを具備する半導体装置において、前記間隔が所定の間隔より広く該配線を接続する前記プラグの前記配線との重なり接続する部分の他に前記配線が前記プラグよりはみ出す余剰部分をもつことを特徴とする半導体装置。

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