特許

J-GLOBAL ID：200903009872446675

部分酸化デキストリン及びその製造方法

発明者： 渡辺 東 ,  土山 幸夫
出願人/特許権者： メルシヤン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263359
公開番号（公開出願番号）：特開平5-017502
出願日： 1991年07月08日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 デキストリンを構成する単位グルコースにおける6位のヒドロキシメチル基の一部が、選択的にカルボキシル基に酸化された部分酸化デキストリンおよびその製造方法を提供する。【構成】 デキストリンの水溶液に酸化白金炭素触媒等の貴金属含有触媒を加え、さらに酸素または酸素含有ガスを吹き込むことにより、単位グルコース(I)における6位のヒドロキシメチル基の1〜60%が、選択的にカルボキシル基に酸化された部分(II)酸化デキストリンを製造する。

請求項（抜粋）：

一般式【化1】で表される構造単位(I)、及び一般式【化2】式中、Rは、水素原子またはアルカリ金属、アルカリ土類金属の塩であることを示す、で表される構造単位(II)からなり、構造単位(II)を1〜60モル%含有する部分酸化デキストリン。

IPC (4件)：

C08B 33/08 ,  B01J 23/42 ,  B01J 23/44 ,  C07B 61/00 300