特許
J-GLOBAL ID：200903009877336070
化合物半導体発光素子とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-144853
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340145
出願日： 1995年06月12日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】【目的】 温度特性およびしきい値電流Jthの改善をはかった化合物半導体レーザー等の半導体発光素子とその製造方法を提供する。【構成】 少なくとも第1導電型の化合物半導体基板1と、第1導電型のクラッド層3と、活性層4と、第2導電型のクラッド層5とを有する化合物半導体発光素子において、少なくとも一方のクラッド層中の活性層4の近傍に、高キャリア濃度薄層5Hが形成されてこのクラッド層の擬フェルミレベルを変化させ、活性層との間のヘテロ接合における障壁を高めた構成とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1導電型の化合物半導体基板と、第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型のクラッド層とを有する化合物半導体発光素子において、少なくとも一方のクラッド層中の活性層近傍に、高キャリア濃度薄層が形成されて該クラッド層の擬フェルミレベルを変化させ、上記活性層との間のヘテロ接合における障壁を高めてなることを特徴とする化合物半導体発光素子。
引用特許：
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