磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果型ヘッドおよびハードディスク装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-187972
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009368
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】固定層の磁化を安定化させる磁化回転抑制層において、低コストでかつ大きなMR比と固定層の反転磁界を両立させることができる磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果型ヘッドおよびハードディスク装置を提供する。【解決手段】外部磁界により容易に磁化回転する磁性層(自由層)6と、非磁性層を介して前記自由層と分離されて設けられた外部磁界により容易には磁化回転しない磁性層(固定層)4と、前記固定層の磁化回転を抑制するために設けられた磁化回転抑制層3を含む磁気抵抗効果素子100Aにおいて、磁化回転抑制層3を(Ni1-xMx)1-yMny (ただし、MはRu,Rh,Pd,Ag,Re,Os,Ir,Pt及びAuから選ばれる少なくとも一種の元素、0.4≦y≦0.6、0.01≦x≦0.5)で構成する。

請求項（抜粋）：

外部磁界により容易に磁化回転する磁性層(自由層)と、非磁性層を介して前記自由層と分離されて設けられた外部磁界により容易には磁化回転しない磁性層(固定層)と、前記固定層の磁化回転を抑制するために設けられた磁化回転抑制層を含む磁気抵抗効果素子において、前記磁化回転抑制層が、(Ni1-xMx)1-yMny (ただし、MはRu,Rh,Pd,Ag,Re,Os,Ir,Pt及びAuから選ばれる少なくとも一種の元素、0.4≦y≦0.6、0.01≦x≦0.5)から構成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/14

FI (4件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/14 , G01R 33/06 R

Fターム (22件)：

2G017AC01 , 2G017AD55 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5D034AA02 , 5D034AA03 , 5D034BA05 , 5D034BA12 , 5D034BA18 , 5D034BB03 , 5D034BB09 , 5D034CA08 , 5D034DA07 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA09 , 5E049AA10 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB02 , 5E049DB04 , 5E049GC01

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