特許

J-GLOBAL ID：200903009883016761

超電導限流素子および超電導部材

発明者： 工藤 由紀 ,  山崎 六月 ,  久保田 宏 ,  芳野 久士
出願人/特許権者： 超電導発電関連機器・材料技術研究組合
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-025584
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219928
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 酸化物超電導体薄膜等を用いた超電導限流素子等の超電導部材において、局所的なSN転移に起因する酸化物超電導体薄膜の焼損や電流パス間での放電等による素子破壊を有効に抑制する。【解決手段】 少なくとも106 N/m 3 の巨視的ピニング力を有する第二種超電導体1で超電導線路を構成し、このような超電導線路中に超電導線路を流れる電流方向に対して略垂直な方向に印加した0.01〜 10Tの磁場により磁束を侵入させて、超電導限流素子6として使用する。あるいは、第二種超電導体で構成された超電導線路を、隣接する超電導線路に同じ向きの電流が流れるように形成し、かつ超電導線路の幅をL、厚さをt、隣接する超電導線路間の距離をdとしたとき、d≧0.01LかつL≧ 100tの関係を満足させる。

請求項（抜粋）：

第二種超電導体で構成された超電導線路を有する超電導限流素子において、前記超電導線路を構成する第二種超電導体は、少なくとも106 N/m 3 の巨視的ピニング力を有し、かつ前記超電導線路中には該超電導線路を流れる電流方向に対して略垂直な方向に印加した0.01〜 10Tの磁場に基く磁束が侵入していることを特徴とする超電導限流素子。

IPC (3件)：

H02H 9/02 ZAA ,  H01F 6/06 ,  H01L 39/16

FI (3件)：

H02H 9/02 ZAA B ,  H01L 39/16 ,  H01F 5/08 C