特許
J-GLOBAL ID：200903009892156762
X線露光用マスク及びそれを用いた半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-266292
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330222
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】 内部応力によるマスクの歪みが少ない高精度の露光転写が可能なX線露光用マスク及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。【解決手段】 X線吸収体を支持する支持膜、該支持膜をその周囲で支持する支持枠そして該支持枠を補強保持するマスクフレームとを有したX線露光用マスクにおいて、該マスクフレームの一部に位置合わせ用マークを設けたこと。
請求項（抜粋）：
X線吸収体を支持する支持膜、該支持膜をその周囲で支持する支持枠そして該支持枠を補強保持するマスクフレームとを有したX線露光用マスクにおいて、該マスクフレームの一部に位置合わせ用マークを設けたことを特徴とするX線露光用マスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
, H01L 21/30 531 J
