特許
J-GLOBAL ID：200903009900389054
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷 照一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-086469
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277755
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 上層、中層及び下層の3層からなり、上層の一部をその直下に位置する中層から隔離して下層に対して変位可能に構成した可動部とする半導体装置の製造方法において、中層を単一材料で構成した上で、可動部の直下に突起を確実に形成できるようにするとともに、同突起を形成しても半導体装置に反りが発生しないようにする。【解決手段】 半導体装置は、上層c、中層b及び下層aの3層からなり、可動部20及び突起31を備えている。可動部20は上層cからなり中層bから隔離して下層cに対して変位可能に構成され、突起31は中層bからなり可動部20の直下のみに形成されている。この装置の製造にあたっては、中層bをウェットエッチングすることにより、可動部20を中層bから隔離するとともにその直下に突起31を形成した後、上層cの残っていない部分の直下の中層bをドライエッチングにより除去する。
請求項（抜粋）：
上層、中層及び下層の3層からなり、上層の一部をその直下に位置する中層から隔離して下層に対して変位可能に構成した可動部とする半導体装置の製造方法において、前記可動部の水平方向外側に位置する上層の一部を除去する上層除去工程と、前記上層の一部を除去した可動部の水平方向外側位置から中層のウェットエッチングを行って、前記可動部をその直下にて中層から隔離するとともに同可動部の直下に位置する中層に突起を形成する突起形成工程と、前記突起形成工程後に前記上層の一部を除去した可動部の水平方向外側直下に残った中層をドライエッチングにより除去する中層除去工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/84 Z
, G01C 19/56
2F105BB15
, 2F105CC04
, 2F105CC20
, 2F105CD03
, 2F105CD05
, 4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA24
, 4M112CA26
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA17
, 4M112EA03
