特許

J-GLOBAL ID：200903009908909677

半導体材料の製造法

発明者： 猪飼 慶三 ,  南 昌樹 ,  松野 光雄
出願人/特許権者： 日本石油株式会社
代理人 (1件)： 岡澤 英世 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-159363
公開番号（公開出願番号）：特開平7-061807
出願日： 1994年06月17日
公開日（公表日）： 1995年03月07日
要約：

【要約】【目的】 従来の方法に比べて、より短時間でより安価に半導体材料を製造する方法の提供。【構成】 特定なハロゲノシラン化合物のウルツ型縮合物を熱分解する。

請求項（抜粋）：

【化1】(式中、R1 及びR2 は同一又は互いに異なり、炭素数3〜12の2級〜3級アルキル基、シクロアルキル基、炭素数8〜12の1級〜3級アラルキル基又はXから選ばれ、Xは塩素、臭素又はヨウ素である。)【化2】(式中、R6 〜R10はそれぞれ同一又は互いに異なり、炭素数3〜12の2級〜3級アルキル基、シクロアルキル基、炭素数8〜12の1級〜3級アラルキル基又はXから選ばれ、Xは塩素,臭素又はヨウ素である。但し、R6 〜R10のいずれか一つは必ずXである。)【化3】(式中、R11〜R17はそれぞれ同一又は互いに異なり、炭素数3〜12の2級〜3級アルキル基、シクロアルキル基、炭素数8〜12の1級〜3級アラルキル基、下記の化4で示されるシリル基又はXから選ばれ、Xは塩素、臭素又はヨウ素である。但し、R11〜R17のいずれか一つは必ずXである。)【化4】R3 R4 R5 Si-(式中、R3 〜R5 はそれぞれ同一又は互いに異なり、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数6〜10のアリ-ル基から選ばれる。)上記の化1で示されるハロゲノモノシラン、化2で示されるハロゲノジシラン及び化3で示されるハロゲノシランからなる群から選ばれる1種もしくは2種以上のハロゲノシランを、アルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属の存在下に反応させて縮合物を生成させ、得られた縮合物を熱分解することからなる半導体材料の製造法。

IPC (3件)：

C01B 33/00 ,  C08G 77/60 NUM ,  H01L 21/208