特許

J-GLOBAL ID：200903009909973476

太陽電池及びその製造方法

発明者： 江本 真樹子 ,  藤田 健太郎 ,  柴田 明夫 ,  横田 洋
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-026491
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314110
出願日： 2002年02月04日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 結晶構造に依存することなく、半導体結晶基板表面に簡便な方法でテクスチャ構造を施し、より多くの入射光をトラップすることができる高効率な太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体結晶基板15の一面をフッ化物を含有する電解液12に接触させ、該フッ化物を含有する電解液内に電極25を配置し、該電極と結晶基板との間に通電すると共に結晶基板に光源31より光18を照射してホールと電子の対を発生する。結晶基板15の電解液との接触面において該ホールと電解液中のイオンとが結合することによるエッチングを進行させ、結晶基板表面に少なくとも1つの凹凸構造を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体結晶基板の一面をフッ化物を含有する電解液に接触させ、該フッ化物を含有する電解液内に電極を配置し、該電極と前記結晶基板との間に通電すると共に前記結晶基板に光照射してホールと電子の対を発生し、前記結晶基板の前記電解液との接触面で前記ホールと前記電解液中のイオンとが結合することによるエッチングを進行させ、前記結晶基板表面に少なくとも1つの凹凸構造を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/3063

FI (2件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 21/306 L

Fターム (21件)：

5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043DD08 ,  5F043DD10 ,  5F043FF10 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA03 ,  5F051BA05 ,  5F051BA14 ,  5F051BA15 ,  5F051BA16 ,  5F051DA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA22 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051GA15 ,  5F051GA20 ,  5F051HA06 ,  5F051JA03