特許

J-GLOBAL ID：200903009914902730

シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ

発明者： 阿部 孝夫 ,  相原 健 ,  秋山 昌次 ,  五十嵐 哲也 ,  曲 偉峰 ,  速水 善範 ,  斉藤 樹
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000001124
公開番号（公開出願番号）：WO2000-055397
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月21日
要約：

【要約】チョクラルスキー法により抵抗率が100Ω・cm以上で初期格子間酸素濃度が10〜25ppmaであるシリコン単結晶棒を育成して、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工し、該ウエーハに酸素析出熱処理を行なって、ウエーハ中の残留格子間酸素濃度を8ppma以下としてシリコンウエーハを製造する。このように製造されたシリコンウエーハは、デバイス製造等における熱処理を受けても抵抗率の低下が少ない。また、抵抗率に関係無く上記初期格子間酸素濃度及び残留格子間酸素濃度となるようにシリコンウエーハを作製・熱処理することでその後の熱処理工程でのスリップ転位が無くなる。さらに、本発明に係るシリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成させることにより、スリップ転位等が無く、各種デバイスに適用できる高抵抗率のエピタキシャルウエーハとなる。

請求項（抜粋）：

シリコンウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法により抵抗率が100Ω・cm以上で初期格子間酸素濃度が10〜25ppmaであるシリコン単結晶棒を育成して、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工し、該ウエーハに酸素析出熱処理を行なって、ウエーハ中の残留格子間酸素濃度を8ppma以下とすることを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

C30B 29/06 A ,  H01L 21/322 P ,  H01L 27/12 E