特許

J-GLOBAL ID：200903009915699114

半導体レ-ザ装置の製造方法

発明者： 大塚 武夫
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114659
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307191
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 2つの半導体レーザ素子から出射される各レーザ光の発光位置を同一高さにし、かつ信頼性の高い半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 同一GaAs基板2上にGaInPエッチングストップ層5を形成後、第1活性層7を含む第1半導体層6、8、9、10、11を形成して第1半導体レーザ素子3を構成し、更に第1半導体層6、8、9、10、11Aの一方側を絶縁層パターン24で覆い、次に、選択エッチング液を用いて、絶縁層パターン24で覆われた以外の第1半導体層6、8、9、10、11の他方側をGaInPエッチングストップ層5に達するまでエッチングし、更に、GaInPエッチングストップ層5上に第1半導体層と分離して第2活性層16を含む第2半導体層15、17、18、19、11Bを形成して第2半導体レーザ素子4を構成する。

請求項（抜粋）：

同一GaAs基板上に分離溝を挟み並列形成してなる第1半導体レーザ素子及び第2半導体レーザ素子を有する半導体レーザ装置の製造方法であって、前記GaAs基板上にGaInPエッチングストップ層を形成後、第1活性層を含む第1半導体層を形成して前記第1半導体レーザ素子を構成し、更に前記第1半導体層の一方側を絶縁層パターンで覆い、次に、選択エッチング液を用いて、前記絶縁層パターンで覆われた以外の前記第1半導体層の他方側を前記GaInPエッチングストップ層に達するまでエッチングし、更に、前記GaInPエッチングストップ層上に前記第1半導体層と分離して第2活性層を含む第2半導体層を形成して前記第2半導体レーザ素子を構成することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/22 610 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

H01S 3/18 669 ,  H01L 21/308 C ,  H01L 21/306 B

Fターム (17件)：

5F043AA14 ,  5F043AA40 ,  5F043BB07 ,  5F043DD30 ,  5F043FF01 ,  5F043GG04 ,  5F043GG05 ,  5F043GG10 ,  5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AB06 ,  5F073BA06 ,  5F073CA05 ,  5F073CA14 ,  5F073DA23 ,  5F073EA28 ,  5F073FA24