特許
J-GLOBAL ID：200903009916805147

ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者：
辻 裕光

辻 裕光 について

, 
遠藤 浩太朗

遠藤 浩太朗 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-409500
公開番号（公開出願番号）：特開2005-172949
出願日： 2003年12月08日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】解像性は維持しつつ、レジストパターンの形状、すなわち、矩形性および膜減りを改善したホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基と(ii)アルコール性水酸基とを共に有する脂肪族環式基を持つアルカリ可溶性の構成単位を含んでなる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体成分と、 露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)として、少なくとも以下、一般式(1) 【化1】[式中、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2〜6のアルキレン基を表し;R1〜R3は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し、R1〜R3のうち少なくとも1つはアリール基を表す]で表される少なくとも1種のスルホニウム化合物とを含んでなることを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基と(ii)アルコール性水酸基とを共 に有する脂肪族環式基を持つアルカリ可溶性の構成単位を含んでなる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体成分と、 (B)下記、一般式(1)
IPC (3件)：
G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R
Fターム (13件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025DA19 ,  2H025FA12
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • ポジ型レジスト組成物
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-149620   出願人：富士写真フイルム株式会社
審査官引用 (6件)
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