特許
J-GLOBAL ID：200903009923562454
進行波型電極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 登 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-230996
公開番号（公開出願番号）：特開平7-064032
出願日： 1993年08月23日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 LiNbO3/LiTaO3光導波路型の進行波型光変調器の光導波路上に形成される進行波電極の中心導体・アース導体間の作製精度を向上するとともに導通(短絡)を起こさないようにすること。【構成】 LiTaO3 単結晶基板上にLPE法により形成されてなるLiNbO3 単結晶の光導波路上に絶縁性のバッファ層を形成し、このバッファ層上にCr層を形成し、このCr層上にNi層を形成し、このNi層表面の水分をベーキング処理により除去した後、進行波電極メッキ用のレジストを塗布し、このメッキ用レジスト層を部分的に除去してなるNi層の露顕部分に進行波電極用のAuメッキ処理を施こし、このAuメッキ処理後にメッキ用レジスト層の残り部分とその下地層であるNi層およびCr層の露顕部分をドライエッチングにより除去する。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に形成されてなる光導波路上に絶縁性のバッファ層を形成する工程と、このバッファ層上に進行波電極メッキの下地処理として第1の金属層を形成する第1下地処理工程と、この第1の金属層上に同じく進行波電極メッキの下地処理として第2の金属層を形成する第2下地処理工程と、この第2の金属層表面の水分をベーキング処理により除去するベーキング工程と、水分が除去された第2金属層表面上に進行波電極メッキ用のレジストを塗布する工程と、このメッキ用レジスト層を部分的に除去してなる第2金属層の露顕部分に進行波電極金属のメッキ処理を施こす電極メッキ工程と、進行波電極金属のメッキ処理後にメッキ用レジスト層の残り部分を除去してなる第2金属層および第1金属層の露顕部分をドライエッチングにより除去するドライエッチング工程とを含むことを特徴とする進行波型電極の製造方法。
引用特許：
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