特許
J-GLOBAL ID：200903009924308446
レジストパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-155003
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135140
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】 レジストパターン成形方法を提供する。【構成】 基板1上に下層レジスト2を塗布後ハードベークし、上層レジスト4を塗布し、反転マスクを用いて実際のパターンの反転パターンを形成し、SOG膜8を塗布した後、該SOG膜8を上層レジスト4が露出するまでエッチバックした後、全面露光、現像を行って上層レジスト4を除去することにより、微細パターンを簡易でしかも精度よく転写することを可能にする。
請求項（抜粋）：
多層レジスト法を用いたレジストプロセスにおいて、平坦化層とされる下層レジストを塗布後、ハードベークする工程と、上層レジストを塗布し、実際のパターンの反転パターンを形成する工程と、SOGを塗布する工程と、該SOGを前記上層レジストが露出するまでエッチバックする工程と、前記上層レジストを全面露光し、現像により前記上層レジストを除去する工程と、を順次行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
