特許
J-GLOBAL ID：200903009924815127
反射帯電防止膜およびそれを用いた表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258727
公開番号（公開出願番号）：特開平10-104402
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】従来のゾルゲル法よりも膜強度が高く、表面の平坦性の優れた反射帯電防止膜の提供にある。【解決手段】表示装置の表示パネルフェース面に形成される反射帯電防止膜であって、該反射帯電防止膜が導電性の超微粒子粉末を含み透明な帯電防止層の上に、Si骨格に低級アルキル基が直結したシリコンアルコキシドを含むシリカゾル溶液から形成され、前記帯電防止層よりも低屈折率の低屈折率層が積層されており、前記低屈折率層中のアルキル基の濃度が7〜30重量%である反射帯電防止膜。
請求項（抜粋）：
表示装置の表示パネルフェース面に形成される反射帯電防止膜であって、該反射帯電防止膜が導電性の超微粒子粉末を含み透明な帯電防止層の上に、Si骨格に低級アルキル基が直結した式〔1〕【化1】R3-Si-CnH2n+1 ...〔1〕(式中、Rはアルコキシ基、nは1〜4の整数)で示されるシリコンアルコキシドを含むシリカゾル溶液から形成され、前記帯電防止層よりも低屈折率の低屈折率層が積層されており、前記低屈折率層中のアルキル基の濃度が7〜30重量%であることを特徴とする反射帯電防止膜。
IPC (7件)：
G02B 1/10
, B32B 7/02 103
, C08G 77/18
, G02B 1/11
, G02F 1/1335
, G09F 9/00
, H01J 29/88
G02B 1/10 Z
, B32B 7/02 103
, C08G 77/18
, G02F 1/1335
, G09F 9/00
, H01J 29/88
, G02B 1/10 A
