特許
J-GLOBAL ID：200903009931844191
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029969
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289089
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】ソース・ドレインとして金属電極が形成された電界効果トランジスタにおいて、短チャネル効果の発生及びリーク電流を抑制する。【解決手段】p型のSi基板11の表面上に選択的に、ドレイン・シリサイド12及びソース・シリサイド13が形成されている。露出するSi基板11上にゲート酸化膜14を介してゲート電極15が形成されている。ゲート電極15は、ゲート酸化膜14上に形成されたゲート・多結晶シリコン151 と、ゲート・多結晶シリコン151 の表面に形成されたゲート・シリサイド152 とから構成されている。ゲート電極15の側部に側壁酸化膜16が形成されている。ドレイン・シリサイド12及びソース・シリサイド13の下面に、ゲート電極15の端から距離Ld 離れて、n+ 型のドレイン拡散層17及びソース拡散層18が形成されている。Ld は空乏層と同程度かそれ以下の長さである。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、金属電極からなり前記半導体基板との界面にショットキーバリアを形成するソース・ドレインとを具備してなる電界効果トランジスタを含む半導体装置であって、少なくともドレイン側の前記金属電極の下部に、前記ゲート電極側の該金属電極の端から離れて第2導電型の不純物拡散層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28 301
, H01L 29/872
, H01L 29/786
H01L 29/78 301 S
, H01L 21/28 301 S
, H01L 29/48 M
, H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 618 E
