特許
J-GLOBAL ID：200903009932125873
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-202820
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098213
出願日： 1997年07月29日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 p型コンタクト層表面に酸化膜が形成することを防止した半導体発光素子を提供し、それによってオーミック特性を向上させ、動作電圧の低下、光取り出し効率の向上をはかる。【解決手段】 Inx Aly Ga1-x-y Nを含む発光層(0≦x≦1-y、0≦y≦1-x)を挟んで形成されたn型コンタクト層及びp型コンタクト層と、前記n型およびp型コンタクト層とそれぞれ電気的に接続するn型電極とp型電極とを有し、前記p型コンタクト層の表面に酸化防止の保護層を有し、且つ前記p型電極と前記p型コンタクト層とが、前記p型電極を構成する金属を前記保護層へ拡散させて得られるアロイ層により導通している半導体発光素子。
請求項（抜粋）：
Inx Aly Ga1-x-y Nを含んでなる発光層(ただし、0≦x≦1-y、0≦y≦1-xである)を挟んで形成されたn型コンタクト層及びp型コンタクト層と、前記n型コンタクト層と電気的に接続するn型電極と、前記p型コンタクト層と電気的に接続するp型電極とを有し、前記p型コンタクト層の表面に、該p型コンタクト層の酸化防止のための保護層を有し、且つ前記p型電極と前記p型コンタクト層とが、前記p型電極を構成する金属を少なくとも前記保護層へ拡散させて得られるアロイ層によって導通していることを特徴とする、半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
