特許
J-GLOBAL ID：200903009932466310
半導体チップのダイボンディング方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-100625
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283245
出願日： 1994年04月13日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】本発明は、ダイボンディング工程における銀ペーストの硬化時間が短縮され得ると共に、正確に時間管理され得るようにした、半導体チップのダイボンディング方法を提供することを目的とする。【構成】リードフレーム10表面の前以て銀ペースト11が塗布された取付位置に、半導体チップ12を載置した後、該リードフレームをヒータプレート13上に搬送しながら、該半導体チップに対するワイヤボンディングを行なうと同時に、該ヒータプレート13からの加熱により、上記銀ペースト11を硬化させるように、半導体チップのダイボンディング方法を構成する。
請求項（抜粋）：
リードフレーム表面の前以て銀ペーストが塗布された取付位置に、半導体チップを載置した後、該リードフレームをヒータプレート上に搬送しながら、該半導体チップに対するワイヤボンディングを行なうと同時に、該ヒータプレートからの加熱により、上記銀ペーストを硬化させることを特徴とする、半導体チップのダイボンディング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/52
, H01L 21/60 301
