特許

J-GLOBAL ID：200903009933952145

プラズマ処理装置

発明者： 小林 健治
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-196985
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027398
出願日： 1995年07月10日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ処理装置における上部電極の温度の均一化を向上させる。【解決手段】 上部電極41の上面と、上部電極41の上部に配置されてこの上部電極41を冷却する冷却プレート32の下面との間に、熱伝達効率の高い環状のシム43を介在させ、このシム43の位置は、上部電極41の周辺部と中心部との間に設定する。プラズマによって上部電極41が加熱されてもその中心部が下方に凸に撓むことはなく、常にシム43によって冷却され、その結果上部電極41における面内温度差は小さくなる。

請求項（抜粋）：

処理室内に上部電極と下部電極を上下に対向配置し、少なくともこれら上部電極と下部電極のいずれか一方に高周波電力を供給して処理室内にプラズマを発生させ、処理室内の被処理体に対して処理を施す如く構成された装置であって、前記上部電極の平坦な上面に、下面が平坦な冷却部材を接触配置し、その周辺部でこれら上部電極と冷却部材とを固着してなるプラズマ処理装置において、前記固着部分よりも内側における上部電極と冷却部材との間に、これら上部電極と冷却部材との双方に接触する熱伝達部材を介在させたことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H05H 1/46 M ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 C