特許
J-GLOBAL ID：200903009940790800
1次元チャネルトランジスタとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233344
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084962
出願日： 1992年09月01日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】化合物半導体を用いた一次元電子系を多重に形成することにより高周波での低ノイズ特性を大幅に改善した素子構造を製造するための基板の形成方法を提供する。【構成】鋸歯状の断面構造を有する能動領域11を特徴としその鋸歯のラインの側面に沿って形成された一次元電子系をトランジスタのチャネルにする。【効果】電荷担体の経過通路のゆらぎを一次元的に抑えると共にチャネルキャリア密度を著しく向上することで高周波でのノイズを大幅に低減する。
請求項（抜粋）：
第一の半導体と前記第一の半導体より電子親和力が小さい第二の半導体を有し前記第二の半導体内には少なくとも不純物をドープされた半導体層を有し、前記第一の半導体及び前記第二の半導体がヘテロ界面を形成する際の共通界面の曲率が周期的に変調していることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/06
, H01L 29/68
