特許

J-GLOBAL ID：200903009949056808

半導体レ-ザ素子およびその製造方法

発明者： ジョン・レニー ,  笹沼 克信
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-369471
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196188
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】寿命の長い窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を実現すること。【解決手段】出射端面部が他の部分よりも低いInGaNMQW活性層5MQWを形成し、このような段差を持った活性層5上にp型GaN光ガイド層6、p型AlGaNクラッド層7を堆積する。

請求項（抜粋）：

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる活性層を有する半導体レーザ素子において、前記活性層はレーザ光の出射端面部において段差を有し、この段差によって前記基板に対する前記出射端面部の高さが前記活性層の他の部分のそれよりも低くなっている場合には前記活性層上にそれよりもバンドギャップの広い第1半導体層が形成され、前記段差によって前記基板に対する前記出射端面部の高さが前記活性層の他の部分のそれよりも高くなっている場合には前記活性層下に前記第1半導体層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/16 ,  H01L 21/308

FI (2件)：

H01S 3/18 648 ,  H01L 21/308 C

Fターム (15件)：

5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043FF05 ,  5F043GG10 ,  5F073AA13 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073AA85 ,  5F073AA86 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA12 ,  5F073EA28