特許
J-GLOBAL ID:200903009950208808

半導体素子用Pt合金極細線

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 早川 政名
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-262213
公開番号(公開出願番号):特開平6-112257
出願日: 1992年09月30日
公開日(公表日): 1994年04月22日
要約:
【要約】【目的】Pt極細線の高温強度を向上させると同時に、高温放置試験におけるA点剥がれの発生率を低下させ、ワイヤボンディング法及びバンプ接続法に用いるに極めて有用な半導体素子用Pt合金極細線を提供する。【構成】高純度Ptに、Os,Ru,Ir,Rhの1種又は2種を、総添加量0.01〜5wt%含有せしめると共に、Be,Ge,Ca,Si,Fe,Sc,Y,希土類元素の中から1種又は2種以上を、0.0001〜0.005 wt%含有せしめて溶解鋳造し、次に溝ロール加工を施し、その途中で焼なまし処理を施した後に線引加工し、更に十分な応力除去を行って線径25μmの母線を成形した。
請求項(抜粋):
Os,Ru,Ir,Rhの中から1種又は2種以上を総添加量0.01〜5wt%含有し、残部Ptからなる半導体素子用Pt合金極細線。
IPC (2件):
H01L 21/60 301 ,  C22F 1/14
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開昭64-039335

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