特許

J-GLOBAL ID：200903009951587250

高周波プラズマ処理装置および処理方法

発明者： 西川 和宏
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-213750
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032303
出願日： 2004年07月22日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 容量結合プラズマと誘導結合プラズマとを組み合わせたプラズマの高性能化を実現できる高周波プラズマ装置を提供する。 【解決手段】 所定の間隔で対面する壁面部1a,1bを有する所望のガス雰囲気を形成するための反応容器1と、高周波電源7と、前記反応容器1の一方の壁面部1aの外面部にコイル軸が壁面に対して直交する方向で配置された第1のコイル4と、前記反応容器1の他方の壁面部1bの外面部にコイル軸が壁面に対して直交する方向で且つ前記第1のコイル4と対向する位置に配置された第2のコイル5とを備え、前記高周波電源7より前記第1のコイル4及び前記第2のコイル5に高周波電流を流すことによって前記壁面部1a,1bの壁面を横切る高周波磁界を形成するとともに、前記壁面1a,1b間に強電界を形成し、前記反応容器1内に誘導結合プラズマ及び容量結合プラズマを放電維持させ、該プラズマによって、前記反応容器1内のガス雰囲気中に位置する被処理物10に対して所望のプラズマ処理を行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

所定の間隔で対面する壁面部を有して所望のガス雰囲気を形成するための反応容器と、高周波電源と、前記反応容器の一方の壁面部の外面部に配置された第1のコイルと、前記反応容器の他方の壁面部の外面部に前記第1のコイルと対向する位置に配置された金属導体とを備え、 前記高周波電源より前記第1のコイルに高周波電流を流すことによって前記反応容器内部に高周波磁界を形成するとともに、前記第1のコイルと前記金属導体との間に位置する前記反応容器内部の前記壁面間の空間に強電界を形成し、前記反応容器内に高周波磁界と高電界とによってプラズマを放電維持させ、所望のプラズマ処理を行うことを特徴とする高周波プラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/507 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/24 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

H05H1/46 L ,  H05H1/46 R ,  C23C16/507 ,  H01L21/205 ,  H05H1/24 ,  H01L21/302 101E

Fターム (18件)：

4K030FA04 ,  4K030JA09 ,  4K030KA30 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045BB08 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11 ,  5F045EH12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• プラズマ発生装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-307908   出願人：富士通株式会社