特許
J-GLOBAL ID：200903009955546779
マルチビーム半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-253090
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104535
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 共振器間に熱干渉を引き起こすことなくレーザビームの間隔を狭小化し得るマルチビーム半導体レーザを提供し、これを用いた光ディスク装置、光磁気ディスク装置等のシステムの設計自由度の向上をはかる。【構成】 {100}結晶面を主面とする半導体基体の主面上に、〈001〉結晶軸方向に共振器長を有する複数のレーザ20A、20Bを各光出射端面を対向するように配置して、これら各光出射端面間に、基体の主面に対し45°を成す{110}結晶面より成る結晶成長ミラー面9A、9Bを各光出射端面に対向して設けて構成する。
請求項（抜粋）：
{100}結晶面を主面とする半導体基体の上記主面上に、〈001〉結晶軸方向に共振器長を有する複数のレーザが各光出射端面を対向するように配置され、上記各光出射端面間に、上記主面に対し45°を成す{110}結晶面より成る結晶成長ミラー面が上記各光出射端面に対向して設けられて成ることを特徴とするマルチビーム半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G11B 7/125
, H01L 21/20
