特許

J-GLOBAL ID：200903009957634233

半導体ウエーハ処理用反応管の排気方法および装置

発明者： 成田 政隆
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170258
公開番号（公開出願番号）：特開平5-017287
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：

【要約】【目的】反応管内に多少のパーティクルが存在していても、排気過程でパーティクル飛散の原因となる圧力ショックを巧みに回避しながら比較的短時間で所定の真空度まで真空引きできるようにした半導体ウェーハ処理用反応管の排気方法および装置を提供する。【構成】反応管1と排気ポンプ2との間に配管した排気管路3と、排気管路の途中に接続した主弁4と、該主弁を迂回するバイパス弁6を備えたバイパス管路5と、前記主弁と排気ポンプとの間で排気管路に流量コントローラ10を介して分岐接続した排気能力調整用の不活性ガス源12とで排気装置を構成し、排気開始後の初期段階で排気管路の主弁を開放する前に排気ポンプの吸気側に排気能力調整用ガスを導入し、かつ主弁の開放後にはガス導入量をゼロまで漸次減少させながら反応管内の圧力が所定の到達真空度になるまで真空引きを行う。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを収容してプロセス処理を行う反応管の排気方法であり、排気ポンプを介して反応管内を真空引きするものにおいて、排気開始後の初期段階で排気管路の主弁を開放する前に排気ポンプの吸気側に排気能力調整用ガスを導入し、かつ主弁の開放後にはガス導入量をゼロまで漸次減少させながら反応管内の圧力が所定の到達真空度になるまで真空引きすることを特徴とする半導体ウェーハ処理用反応管の排気方法。