特許

J-GLOBAL ID：200903009964689752

電界効果トランジスタ

発明者： 東郷 光洋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039691
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252392
出願日： 1993年03月01日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】電界効果トランジスタの使用時に生じるドレイン領域近傍のホットキャリア発生を抑えて素子の信頼性を改善する。【構成】電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極11A下の半導体基板内部に生じるチャネル領域14Aの全体の幅またはその一部の幅を、少なくともソース領域12Aまたはドレイン領域13Aの一方の幅より短くすることにより、キャリアの通過する断面積を半導体基板内部の位置により変化させて、ドレイン領域13A近傍の高い内部電界を緩和してホットキャリアによる電界効果トランジスタの劣化を防ぐ。

請求項（抜粋）：

一定距離を有して対向する一対のソース・ドレイン領域を含み、チャネル領域の幅が前記ソース・ドレイン領域のうち少なくともドレイン領域とみなせる側に接する部分より狭い部分を有していることを特徴とする電界効果トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-058674
  
• 特開平4-161046
  
• 特開昭55-048973
  
• 特開昭51-057291