特許
J-GLOBAL ID:200903009971326681

基板メッキ方法及び基板メッキ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉谷 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-230880
公開番号(公開出願番号):特開2000-064087
出願日: 1998年08月17日
公開日(公表日): 2000年02月29日
要約:
【要約】【課題】 実用性の高い基板メッキ方法及び基板メッキ装置を提供する。【解決手段】 制御部は、基板保持機構10に保持された基板Wの処理面Wsに、無電解メッキ液供給系2から無電解メッキ液を供給して基板Wの処理面Wsに無電解メッキでシード層を形成する。基板Wが基板保持機構10に保持された状態で、制御部は、次に、シード層が形成された基板Wの処理面Wsに電解メッキ液供給系3から電解メッキ液を供給するとともに、第1電極131と第2電極126との間に給電して、基板Wの処理面Wsに電解メッキで所定の厚さのメッキ層を形成する。
請求項(抜粋):
基板に対してメッキ処理を施す基板メッキ方法であって、基板の処理面に無電解メッキでシード層を形成する第1のメッキ工程と、シード層が形成された基板の処理面に電解メッキで所定の厚さのメッキ層を形成する第2のメッキ工程と、を備えたことを特徴とする基板メッキ方法。
IPC (3件):
C25D 5/34 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288
FI (3件):
C25D 5/34 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E
Fターム (18件):
4K024AB02 ,  4K024BB09 ,  4K024BB12 ,  4K024CB01 ,  4K024CB02 ,  4K024CB04 ,  4K024CB08 ,  4K024CB11 ,  4K024CB15 ,  4K024CB20 ,  4K024CB26 ,  4K024DA04 ,  4K024DA10 ,  4K024DB10 ,  4K024GA16 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104HH20

前のページに戻る