特許
J-GLOBAL ID：200903009977247511
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-061420
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226695
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【構成】 pn接合部2から光取出側表面13方向に放射される光を自己吸収する度合を少なくするため、該表面13に設けられた上部電極3とpn接合部2までの距離を20μm以下とした半導体発光素子1において、光取出側の最外層としてキャリア濃度が5×1017cm-3以上の電流拡散層14を設ける。【効果】 上部電極とpn接合部との間の距離が近接していても、電流がpn接合部全面に行亘るので、高輝度発光素子が得られる。
請求項（抜粋）：
発光素子の表面に設けられた上部電極とpn接合部との距離が20μm以下であるような半導体発光素子において、前記上部電極直下にキャリア濃度が5×1017cm-3以上の電流拡散層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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