特許

J-GLOBAL ID：200903009977448215

配線及びその形成方法

発明者： 菅野 幸保
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-191223
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022942
出願日： 1995年07月04日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【目的】 接続孔内におけるオーミックコンタクトを単純な工程で形成可能にして、製造コストが低い配線を提供する。【構成】 コンタクトホール13の底部における自然酸化膜をドライエッチングで除去した後にTiN膜15及びW膜16を形成することによって、Si基板11を真空中で移送して外気に接触させることなく、自然酸化膜の除去からTiN膜15の形成までを行う。このため、還元用のTi膜を形成することなく且つ自然酸化膜の新たな形成を防止するための待機時間の管理をも行うことなく、コンタクトホール13におけるオーミックコンタクトを形成することができる。

請求項（抜粋）：

接続孔の内面に接して設けられているTiN膜と、前記TiN膜内に埋め込まれている金属膜とを有することを特徴とする配線。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (5件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R