特許

J-GLOBAL ID：200903009977522539

横型半導体デバイスの配線構造

発明者： 星野 孝志
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-119306
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303137
出願日： 2004年04月14日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】 電流が基板面に平行に流れる横型のFETデバイスであってオフ時の耐圧を高く維持しながら流せる電流をより増加させることのできるパワーデバイス構造を与えること。【解決手段】 ソース領域とドレイン領域のどちらか一方を基板の上方で縦横にM×Nの行列状に並ぶ菱型領域9とし、ソース領域とドレイン領域の他方を基板の上方で菱型領域を囲み相互に連結する荊棘柱状領域8として、ゲート領域は菱型領域を取り囲む菱型の形状7とし隣接するゲート領域と相互に接続されており、菱型領域9の電極は一方の端に集電電極を有する楔型の配線で統合され、荊棘柱状領域8の電極は他方の端に集電電極を有する楔型の配線で統合されている。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

半導体基板と、その上に設けられた半導体薄膜と、半導体薄膜中に高濃度に不純物をドープしたソース領域、ドレイン領域、ゲート領域を含み、ソース領域とドレイン領域のどちらか一方を基板の上方で縦横にM×Nの行列状に並ぶ菱型領域9とし、ソース領域とドレイン領域のもう一方を基板の上方で菱型領域を囲み菱型の短辺方向で相互に連結する荊棘柱状領域8として、ゲート領域は菱型領域を取り囲む菱型の形状7とし隣接するゲート領域と相互に接続されており、菱型領域9の電極は列ごとに一方の端に集電電極を有するN個の楔型の配線で統合され、荊棘柱状領域8の電極は列ごとに他方の端に集電電極を有するN個の楔型の配線で統合されていることを特徴とする横型半導体デバイスの配線構造。

IPC (7件)：

H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

FI (5件)：

H01L29/80 C ,  H01L29/44 P ,  H01L29/50 J ,  H01L29/80 L ,  H01L29/78 301W

Fターム (66件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104DD35 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG11 ,  4M104GG18 ,  4M104HH01 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL02 ,  5F102GL03 ,  5F102GL05 ,  5F102GR12 ,  5F102GR13 ,  5F102GS07 ,  5F102GS08 ,  5F102GS09 ,  5F102GV03 ,  5F140AA30 ,  5F140AA40 ,  5F140AB04 ,  5F140AB08 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA16 ,  5F140BF53 ,  5F140BF54 ,  5F140BH03 ,  5F140BH04 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH50 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ25 ,  5F140BK13 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140CA01 ,  5F140CA03 ,  5F140CA06 ,  5F140CA10 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CE02