特許
J-GLOBAL ID：200903009986987439
半導体装置及び半導体基板の加工方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-094542
公開番号（公開出願番号）：特開2004-303919
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【課題】半導体基板を加工してその表面に固浸レンズを形成する場合において、基板加工時間を低減することができる技術を提供する。【解決手段】半導体装置10の半導体基板1の主面3aには凹部4が形成されており、かかる凹部4の底面には、固浸レンズとして作用する、表面が部分球面状の凸部5が形成されている。そして、凹部4の側面4bと、半導体基板1の主面3aとの成す角度θ1は90°よりも大きい。これによって、半導体装置10の裏面解析時に使用される解析光20が、半導体基板1によって遮られる量を低減することができる。従って、凸部5の表面と凹部4の側面4bとの距離を小さくして、基板加工時間を低減することができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
第1の主面と、それとは反対側に第2の主面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の主面上に形成された半導体素子と
を備える半導体装置であって、
前記半導体基板の前記第2の主面には、凹部が設けられており、
前記凹部の底面には、固浸レンズとして作用する、表面に部分球面を有する凸部が設けられており、
前記凹部の側面と前記第2の主面との成す角度θ1は90°よりも大きい、半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
3C045CA18
, 4M106AA01
, 4M106BA05
, 4M106CA16
, 4M106CA17
, 4M106DB12
, 4M106DH13
, 4M106DH16
, 4M106DH32
