特許
J-GLOBAL ID：200903009988551166
半導体励起固体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-226666
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067824
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 LD近接型の半導体励起固体レーザにおいて、偏光制御素子を挿入することなく、直線偏光のレーザ光を発振する半導体励起固体レーザを得ること。【構成】 レーザ光軸上に当たる固体レーザ媒質3の励起光入射の反対側の端面33を、発振するレーザ光4の光軸に対してブリュースター角をなすように構成したもので、レーザ光軸と端面の法線からなる平面に平行な偏光が選択的に発振する。【効果】 効率よく直線偏光が得られ、ブリュースター角を保つための角度調整機構が不要となる装置の組立も容易となる。
請求項（抜粋）：
励起光を発生する半導体レーザと、断面が励起光の広がりに対して十分に小さい固体レーザ媒質と、この固体レーザ媒質からレーザ光を出射させるためのレーザ共振器構造とから構成される半導体励起固体レーザにおいて、上記固体レーザ媒質のレーザ光軸上に当たる端面が、発振するレーザ光軸に対してブリュースター角をなすように形成されていることを特徴とする半導体励起固体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/094 S
, H01S 3/08 Z
