特許
J-GLOBAL ID:200903009989694734

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山田 稔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-000357
公開番号(公開出願番号):特開平5-183114
出願日: 1992年01月06日
公開日(公表日): 1993年07月23日
要約:
【要約】【目的】 過電圧保護用のアバランシェダイオードを備えた半導体装置において、過電圧からの保護機能を有しながらスイッチング素子の耐圧性能におけるアバランシェ電圧からの裕度を削減してスイッチング素子の特性の向上を図る。【構成】 アバランシェダイオード2をスイッチング素子であるMOSFET1を構成しているエピタキシャル層10を用いて構成することにより、エピタキシャル層10の厚み、不純物濃度などに起因するMOSFET1の耐圧性能のばらつきにアバランシェ電圧を追従させることで、スイッチング素子の耐圧性能の裕度を削減しても、確実な過電圧からの保護を可能とする。
請求項(抜粋):
半導体スイッチング素子に印加される負荷電圧に基づきアバランシェ電流を発生するアバランシェ素子を少なくとも有する半導体装置において、前記アバランシェ素子は、前記半導体スイッチング素子の電圧阻止状態において空乏層が広がる耐圧用拡散層を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 27/06 ,  H01L 27/04
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭56-137673
  • 特開昭62-123771
  • 特開昭54-095352
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