特許
J-GLOBAL ID：200903009994596562
半導体ウエハ等の欠陥観察装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新関 宏太郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-114142
公開番号（公開出願番号）：特開平11-166902
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 試料の表面に存在する傷及び付着粒子と内部の欠陥を正確に観察する。【解決手段】 直線偏光又はランダム偏光を照射するレーザ照射手段102と、照射側偏光板117と、レーザ光105を集束し且つ半導体等の試料101に対し斜めの入射角度θで照射する集光レンズ107と、前記レーザ光105の正反射光129よりも垂直に近い位置に配置された試料表面の欠陥の散乱光又は試料内部の欠陥の散乱光を観察する観察レンズ111と、観察側偏光子118と、偏光成分121を結像させる結像レンズ113と、結像レンズ113で結像した像を撮影する撮影素子115とからなる。
請求項（抜粋）：
直線偏光又はランダム偏光を照射するレーザ照射手段102と、前記レーザ照射手段102よりのレーザ光105を主にp偏光成分119のみまたは主にs偏光成分121のみあるいは両成分を一定比率で混合して試料101に照射するように調整可能とした照射側偏光板117と、前記照射側偏光板117で偏光したレーザ光105を集束し且つ半導体等の試料101に対し斜めの入射角度θで照射する集光レンズ107と、前記レーザ光105の正反射光129よりも垂直に近い位置に配置された試料表面の欠陥の散乱光又は試料内部の欠陥の散乱光を観察する観察レンズ111と、前記観察レンズ111のつぎに設けた前記観察レンズ111で集束された散乱光をp偏光成分119とs偏光成分121とに差別化する観察側偏光子118と、前記観察側偏光子118のつぎに設けた前記観察側偏光子118により差別化された前記p偏光成分119又は前記s偏光成分121を結像させる結像レンズ113と、前記結像レンズ113のつぎに設けた前記結像レンズ113で結像した像を撮影する撮影素子115とからなる半導体ウエハ等の欠陥観察装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 21/88 E
, H01L 21/66 J
