特許
J-GLOBAL ID：200903009997608979
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283903
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003300
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】 コンタクトホールの直下に形成された不純物層と半導体基板との接合部やp-n接合部での電界の集中を防ぐ半導体装置を提供すること。【構成】 p(n)型の半導体基板1上に絶縁層2を形成し、その絶縁層2の所定位置にコンタクトホールCを形成する。このコンタクトホールCに対向する半導体基板1には半導体基板1とは異なる導電性の不純物領域をコンタクトホールC側からn+ (p+ ) 層7、n- (p- )層8の順に2重に設ける。
請求項（抜粋）：
第1の導電性を有する半導体基板と、この半導体基板上に形成され、所定位置に上記半導体基板に達する孔を有する絶縁層と、この絶縁層の孔に対向する上記半導体基板の位置に形成され、上記半導体基板の導電性とは異なる第2の導電性を有するために必要な不純物を含んでいる第1の不純物領域と、この第1の不純物領域と連なりつつ上記第1の不純物領域よりも上記半導体基板の内部に形成され、上記第1の不純物領域と同じ導電性を有し、上記第1の不純物領域と同じ導電性を示すために必要な不純物を上記第1の不純物領域よりも低濃度に含んでいる第2の不純物領域と、を備えた半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 29/784
H01L 27/10 325 C
, H01L 29/78 301 X
